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Matériel à haute tension ultra-rapide de silicium de bâti de surface de la diode 200V d'ES1A-ES1D SMA

Informations de base
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: CANYI
Certification: RoHS
Numéro de modèle: ES1A-ES1D
Quantité de commande min: 5000
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Dimensions par unité : centimètre 19*6.3*21 • Poids par unité : 100g• Unités par carton d'exportat
Délai de livraison: 3-5 jours
Conditions de paiement: Transfert télégraphique à l'avance (TTT anticipé, T/T)
Capacité d'approvisionnement: 15,000,000pcs par jour
Détail Infomation
Type: Diode de redresseur ultra-rapide de SMD Paquet: SMA (DO-214AC)
SI (POIDS DU COMMERCE): 1.0A VRRM: 50V, 100V, 150V, 200V
trr: 150ns Maximum de TJ.: 150℃
Variations de diode: Single Matériau: de silicium
Exemple: libre Port: Shenzhen
Surligner:

super fast recovery diode

,

ultra fast high voltage diode


Description de produit

Diode de redresseur rapide de récupération de redresseur de S1A-ES1D SMA de la diode 1A de puissance de redresseur de la diode 200V de bâti ultra-rapide de surface
Caractéristiques :

  • Pour les applications extérieures de bâti.
  • Jonction passivée par verre.
  • Paquet de profil bas
  • De transfert facile.
  • Passe-fils intégré.
  • Temps de rétablissement rapides superbes pour le rendement élevé.
  • Basses pertes de commutation, rendement élevé
  • Capacité de crête en avant élevée
  • Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, crête maximum de LF du °C 260
  • Disponible qualifié par AEC-Q101
  • Code des véhicules à moteur de commande : base P/NHE3 ou P/NHM3
  • Capacité de crête en avant élevée
  • Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, crête maximum de LF du °C 260

 

Description :
  • Paquet : SMA (DO-214AC)
  • Emballage : bande dans la bobine et 3000 à 7500 morceaux/bobine
  • Terminaux : avances plaque en fer blanc par matte
  • Polarité : la bande de couleur dénote l'extrémité de cathode

Applications typiques :
À l'utilisation dans la rectification à haute fréquence et à l'application indépendante dans des convertisseurs et des inverseurs de mode de commutation pour le consommateur, l'ordinateur, des véhicules à moteur et télécommunication.

 

Matériel à haute tension ultra-rapide de silicium de bâti de surface de la diode 200V d'ES1A-ES1D SMA 0


ESTIMATIONS MAXIMUM (MERCI = °C 25 sauf indication contraire)
ParamètreSymboleES1AES1BES1CES1DUnité
Code de repérage de dispositif EaEbL'ECED 
Tension inverse maximale répétitive maximumVRRM50100150200V
Tension maximum de RMSVRMS3570105140V
Tension de blocage de C.C de maximumVC.C50100150200V
Courant en avant rectifié moyen maximum (fig. 1)IF(POIDS DU COMMERCE)1,0A
Sinus-vague simple de montée subite en avant de Mme maximale du courant 8,3 demiIFSM30A
superposé à la charge évaluéeTJ, stgde T-55~+150
 
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (MERCI = °C 25 sauf indication contraire)
ParamètreConditions d'essaiSymboleValeurUnité
Tension en avant instantanée maximumIF = 0,6 AVF (1)0,865V
IF = 1,0 AVF0,920
Courant inverse de C.C de maximum à la tension de blocage évaluée de C.C TA=25℃IR5,0μA
TA=100℃100
Temps de rétablissement inverse maximumIF = 0,5 A, IR = 1,0 A, lrr = 0,25 Atrr15NS
Temps de rétablissement inverse maximum

IF = 0,6 A, VR = 30 V, dI/dt = 50 A/μs, IRR =RM 10 %d'I

 

TJ=25℃trr25NS
TJ=100℃35
Charge stockée par maximumIF = 0,6 A, VR = 30 V, dI/dt = 50 A/μs, IRR =RM 10 %d'ITJ=25℃Qrr10OR
TJ=100℃25
Capacité de jonction typique4,0 V, 1 mégahertzCj10PF

Note

  1. Essai d'impulsion : durée d'impulsion de 300 μs, coefficient d'utilisation de 1 %

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES (MERCI = °C 25 sauf indication contraire)

ParamètreSymboleES1AES1BES1CES1DUnité
Résistance thermique typiqueRduθJA (1)85℃/W
RduθJL (1)35

Note
(1) unités montées sur la carte PCB 5,0 millimètre X régions terrestres de 5,0 millimètres (0,013 millimètres d'épaisseur).
 
Notre contrôle de qualité strict :
 
1. Notre contrôleur de qualité a le travail dans notre usine pendant plus de 10 années, très expericed.
 
2. Nous examinerons le chaque produit, chaque accessoire avant l'expédition, pour s'assurer son de haute qualité.
 
3. Nous emballerons la cargaison bien pour nous assurer les marchandises dans le bon statut pendant la livraison.
 Matériel à haute tension ultra-rapide de silicium de bâti de surface de la diode 200V d'ES1A-ES1D SMA 1

Coordonnées
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Numéro de téléphone : 86-13423609933

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