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diode de barrière de 3A Schottky, diode de Schottky de carbure de silicium 3B pour la rectification de puissance faible

Informations de base
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: CANYI
Certification: RoHS
Numéro de modèle: RB461F
Quantité de commande min: 5000
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: Enfermé dans une boîte
Délai de livraison: 1 - 2 semaines
Conditions de paiement: Transfert télégraphique à l'avance (TTT anticipé, T/T)
Capacité d'approvisionnement: 15,000,000pcs par jour
Détail Infomation
Affaire: Plastique moulé Application: rectification de puissance faible
Paquet: SOT-323 Type d'emballage: Diode de SMD
Tension inverse: 20V Matériau: de silicium
Surligner:

fast schottky diode

,

power schottky diode


Description de produit

diode de barrière de la diode 3A Schottky de Schottky de carbure de silicium 3B pour la rectification de puissance faible

 

la construction de la diode de Schottky de carbure de silicium est planeuse épitaxiale de silicium

Caractéristiques de diode de barrière de Schottky :

  1. Marquant 3B, a un petit type de moule
  2. Basse tension en avant, VF=0.94V, IF=700mA
  3. Il est de haute qualité avec la fiabilité élevée
  4. De basse puissance, avec les dispositifs de semi-conducteur à forte intensité et ultra à grande vitesse
  5. Temps de rétablissement inverse extrêmement court

Application de diode de barrière de Schottky :

  1. elle pourrait être employée dans la rectification de puissance faible
  2. Alimentations d'énergie à haute fréquence de commutation
  3. Chargeur de batterie de véhicule électrique

dimension de diode de barrière de Schottky :

diode de barrière de 3A Schottky, diode de Schottky de carbure de silicium 3B pour la rectification de puissance faible 0

 

Capacités absolues (TA=25℃)

 

Paramètre symbole limites unité
Tension inverse (répétitive) VRM 25 V
Tension inverse (C.C) VR 20 V
La moyenne a rectifié en avant IO 0,7 A
Crête en avant de pointe de courant (60Hz·“1cyc) IFSM 3 A
La température de jonction Tj 125
Température de stockage Stgde T -40~+125

 

Caractéristiques électriques (Ta=25℃)

Paramètre symbole Minimal. Type. Maximum. unité conditions
Tension en avant VF - - 0,49 V IF =700MA
Courant inverse IR - - 200 μA VR =20V

 

 

Détails d'emballage.

diode de barrière de 3A Schottky, diode de Schottky de carbure de silicium 3B pour la rectification de puissance faible 1

Diode de barrière de Schottky 1N5817-1N5819, SR120-140-160-180-SR1100, SR220-240-260-SR280, SR3150/SR3200, SR340L, SR5100L ......
Diode de redresseur à forte intensité 1N4001, 1N4004, 1N4007, RL201-RL205-RL207, 1N5400-5404-1N5408, 10A05-10A08-10A10 ......
Diode rapide de récupération FR104-FR107, 1N4933-1N4937, FR201-204-207-208, FR301-FR304-FR307 ......
Diode de rendement élevé HER104-HER108, HER201-204-205-207-HER208, HER601-606-HER608, HER501-503-505-506-HER508 ......
Diode de commutation rapide 1N4148, 1N4148-T4, LL4148 ......
Pont redresseur de Schottky MB6S-10S, MB6F-10F, MB16F-110F, MB6M-10M, ABS6-ABS10, DB101-DB107S, DB201-DB207S, KBP206-KBP210, KBP307 ......
Diode de redresseur ultra-rapide de récupération UF203 UF204 UF206 UF207, UF4001-UF4004-UF4007, UF5400-UF5401-UF5404-UF5408, SF21-24-26-SF28 ......

 

Notre contrôle de qualité strict :

 

1. Notre contrôleur de qualité a le travail dans notre usine pendant plus de 10 années, très expericed.

 

2. Nous examinerons le chaque produit, chaque accessoire avant l'expédition, pour s'assurer son de haute qualité.

 

3. Nous emballerons la cargaison bien pour nous assurer les marchandises dans le bon statut pendant la livraison.

 

  • L'ordre d'OEM et d'ODM sont bienvenu ! Nous fournissons les produits et l'emballage adaptés aux besoins du client selon votre conception d'illustration pour répondre à vos exigences spéciales.

 

diode de barrière de 3A Schottky, diode de Schottky de carbure de silicium 3B pour la rectification de puissance faible 2

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Numéro de téléphone : 86-13423609933

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